国家/地区 美国（49） 世界知识产权组织（43） 欧洲专利局（EPO）（29） 日本（27） 韩国（26） 中国（25） 台湾（8） 加拿大（7） 印度（6） 墨西哥（4） 俄罗斯（4） 新加坡（4） 澳大利亚（3） 德国（3） 法国（2）
IPC部 B（56） C（48） H（41）
G（10） D（2） F（2）
IPC大类 B82（56） C01（44） H01（41）
B32（20） B05（15） C08（14）
C09（14） C23（6） B01（5）
C07（5） C30（4） G01（4）
C25（3） G06（3） G11（3）
IPC小类 B82Y（56）
IPC B82Y030/00（40） B82Y040/00（35） C01B031/04（34）
C01B031/02（30） H01B001/04（17） C01B031/00（14）
C08K003/04（12） B82B003/00（11） H01B001/24（10）
B32B009/00（9） B05D005/12（8） H01L029/16（8）
H01L029/786（7） B32B009/04（6） H01L021/02（6）
发明人 AKSAY I A（5） AKSAY I（4） CRAIN J M（3）
HUN JI S（3） KORKUT S（3） LEE J（3）
LEE S（3） LETTOW J S（3） MYEONG CHOI S（3）
PRUD H R K（3） PRUD HOMME R K（3） PRUDHOMME R K（3）
SEON M C（3） SEUNG H J（3） VEERASAMY V（3）
公开年 2010（30） 2009（14） 2011（10）
申请年 2009（56）
专利权人 AKSAY I A（5） UNIV PRINCET.（5） VORBECK MATE.（4） CRAIN J M（3）
GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3） GUARDIAN IND.（3） KOREA INST S.（3）
KORKUT S（3） LETTOW J S（3） POSTECH ACAD.（3） POSTECH ACAD.（3）
PRUDHOMME R .（3） BATTELLE MEM.（2） BAYER TECHNO.（2） BELENOS CLEA.（2）
COMMISSARIAT.（2） FUJITSU LTD（2） LEE J（2） LEE W（2）

Producing stable colloidal graphene dispersions for producing e.g., graphene layer, by stirring graphite oxide in water dispersion or aprotic solvent to obtain clear colloidal graphene oxide dispersion and thermally reducing graphene oxide.

NESPER R, KASPAR T

Synthesis of graphene for organic photovoltaic cells, involves providing substrate having catalytic surface and flowing dilute carbon feedstock over catalytic surface of substrate with preset volume of carbon feedstock.

ZHOU C, DE ARCO L G, ZHANG Y

Graphene oxide sheet used for graphene-containing material, is obtained by dispersing graphene-containing carbon substance using dispersing agent to reduce size of aggregation unit of carbon substance, and oxidizing resulting product.

FUGETSU B

Air electrode for use in air battery, has graphene layers that are oriented in given direction, and basal plane of carbon material that is appeared upon surface of carbon material.

MIZUNO F, NISHIKORI H, HIGASHI S

Manufacturing method of semiconductor device for, e.g. personal computer (PC), involves forming conductive film touching graphene layer on insulator.

KONDO D, SATO S

Producing a graphene-solution, useful for producing a composite material, which is useful in batteries, capacitors, paints, coatings and catalysts, comprises reducing graphite with an alkali metal salt in a polar organic solvent.

WOLF A, LOLLI G, MLECZKO L, SCHLUETER O F, SCHLUETER O F K, SCHLUETER O, SCHLUTER O F

Manufacturing structure comprising semiconductor substrate and modified graphene layer, comprises supplying initial structure comprising standard graphene layer, and hydrogenating initial structure with exposure dosage of hydrogen gas.

CHIANG S, ENRIQUEZ H, OUGHADDOU H, SOUKIASSIAN P, TEJEDA G A, VIZZINI S, TEJEDA GALA A, GALA A T

Composite material, useful for producing graphene layers material, comprises a layered double hydroxide or a layered silicate and a polyacrylonitrile, which is at least partially decomposed to graphene layers.

WOLF A, LOLLI G, MLECZKO L, SCHLUETER O F, SCHLUETER O F K, SCHLUTER O F

Manufacture of nano graphene-based material used for e.g. rechargeable batteries, involves mixing graphite sulfuric slurry and potassium permanganate sulfuric solution and then adding aqueous hydrogen peroxide solution to mixture.

KWON Y J, KIM J H, GU J W, PARK W H, KIM S B, SHIN C M, JI B K, KWON D H, PARK S Y, JI B, GU J, KWON Y, PARK W, KWON D, SHIN C

Manufacture of doped graphene thin film for electrochromic devices comprises hetero-epitaxially growing intermediate graphene thin film on catalyst thin film, and doping intermediate graphene thin film with n- or p-type dopants.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V